Le SiGe:C à plus de 200 GHz devient abordable

Le 03/02/2005 à 7:00 par Youssef Belgnaoui

Après avoir démontré que la technologie BiCmos 0,18 µm en SiGe:C pouvait être optimisée pour réduire fortement la consommation des circuits radiofréquences (technologie industrialisée avec National Semiconductor ­ voir notre numéro du 4 avril 2003), l’Imec vient cette fois de mettre au point une technologie simplifiée en 0,13 µm avec pour objectif d’atteindre des fréquences records. Selon

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