IBM revendique un doublement de la fréquence maximale de transition pour sa dernière technologie silicium-germanium.

IBM vient de caractériser sa quatrième génération de technologie BiCmos sur silicium-germanium (SiGe) faisant appel à des règles de dessin de 130 nm contre 180 nm pour la génération précédente. Le procédé de production, baptisé 8HP, destiné aux applications hautes performances, atteint

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