Innovative Silicon a mis au point une cellule mémoire sur SOI permettant de stocker plus de 2,5 Mbits par millimètre carré en Cmos 90nm, soit cinq fois plus qu’une Sram classique ou deux fois mieux qu’une Dram embarquée.

Utiliser un effet parasite du SOI pour obtenir une technologie mémoire embarquée beaucoup plus dense que tout ce

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