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Le transistor bipolaire silicium monte à 110GHz

Le 22/08/2006 à 14:06 par Youssef Belgnaoui

Une équipe de recherche de l’université de Southampton au Royaume-Uni et STMicroelectronics auraient doublé la fréquence de coupure d’un tra…

Une équipe de recherche de l’université de Southampton au Royaume-Uni et STMicroelectronics auraient doublé la fréquence de coupure d’un transistor bipolaire silicium grâce à un dopage au fluor, atteignant ainsi 110GHz. Une performance qui nécessitait

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