Le transistor Mos en arséniure de gallium pourrait bien devenir réalité d’ici 2 à 3 ans

Le 23/02/2006 à 0:00 par Youssef Belgnaoui

Le fabricant américain Freescale Semiconductor revendique la paternité du premier transistor de type Mos en arséniure de gallium viable commercialement, ouvrant de ce fait la porte à de meilleurs compromis en matière d’amplificateurs de puissance et peut-être de circuits rapides.

Jusqu’à maintenant, en matière d’arséniure de gallium, rappelle Andreas Wild, directeur R&D Europe de Freescale,

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