Samsung vient de lancer la production de volume de ses mémoires flash NAND 4 Gbits en technologie Cmos 70 nm. Ces mémoires, qui ont été introduites il y a un peu moins de deux ans (voir notre numéro du 9 octobre 2003),sont caractérisées par une vitesse d’écriture de 16 Mo/s, soit une amélioration de 50 % comparé aux flash

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