Les transistors Ldmos montent en puissance : 300 W pulsé

Le 20/01/2005 à 7:00 par Youssef Belgnaoui

Le fabricant américain de semi-conducteurs radiofréquences Cree Microwave (ex-UltraRF, racheté en 2001 à Spectrian) vient de présenter une série de transistors de puissance Ldmos destinés aux applications radar ou de transmission. Son modèle IGF1011-300S fonctionne en classe AB avec une plage dynamique de 20 dB et peut fournir une puissance crête de 300 W dans une utilisation

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