HN29V512A de Renesas Technology
Cette mémoire flash en technologie Cmos 0,13 µm se distingue par un temps d’écriture rapide de 4 Mo/s et une utilisation simplifiée grâce à l’intégration sur la puce de fonctions de gestion telles que correction d’erreur, amorçage et autres.
Temps d’accès en écriture : 50 ns après un premier accès en 90 µs
Tension d’alimentation : 2,7 V
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
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