La course pour mettre au point la technologie mémoire de prochaine génération s’est accélérée. Les Dram et flash classiques approchent de leurs limites technologiques. La relève sort des laboratoires, avec de nombreux candidats. Piégeant les électrons, manipulant les états physiques ou maîtrisant les spins, ceux-ci rivalisent d’ingéniosité et d’efforts pour gagner le gros lot.

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