À L’INSTAR DU GaN, LES SEMI-CONDUCTEURS À GRAND GAP À BASE DE SiC SUSCITENT UN VIF INTÉRÊT DANS LES APPLICATIONS DE COMMUTATION DE PUISSANCE, AU DÉTRIMENT DU SILICIUM. MAIS IL NE SUFFIT PAS DE PASSER DU SILICIUM AU SiC POUR BÉNÉFICIER D’UNE SOLUTION DE COMMUTATION OPTIMALE. LES CONSIDÉRATIONS DE DESIGN SONT AU MOINS AUSSI IMPORTANTES

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