La dernière génération de la technologie SiGe : C BiCmos de Philips est adaptée à la réalisation de circuits intégrés pour des applications entre 10 GHz et 30 GHz.

Pour réaliser des systèmes radio fréquences dans le domaine des micro-ondes ou au-dessus de 5 GHz, les technologies silicium traditionnelles s’essoufflent et imposent de recourir aux semiconducteurs exotiques, dont l’intégration

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