La société française Picogiga démarre l’échantillonnage de substrats dits SopSiC pour GaN qui améliorent le comportement thermique du silicium. Le coût serait bien inférieur à celui des substrats SiC massifs actuellement employés.
Les composants en nitrure de gallium semblent avoir des performances qui satisfont particulièrement les applications radiofréquences dans les fréquences supérieures à 2 GHz quand
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