L’Américain Tezzaron Semiconductor vient d’introduire son troisième circuit intégré en 3D qui est également la première mémoire Sram de ce type sur le marché (le premier était un simple registre et le second un microcontrôleur 8bits avec 128 Ko de Ram). Cette mémoire de 1 Mbit est fabriquée par la technique d’empilage de tranches FaStack de la

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