Intel vient d’annoncer la réalisation d’un prototype de mémoire Sram 4 Mbits en technologie Cmos 65 nm (35 nm de longueur de grille). Cette technologie, qui associe silicium contraint et interconnexions cuivre avec diélectrique faible k, devrait être lancée en production dans le courant de l’année 2005. La Sram prototype d’Intel fait appel à des cellules mémoires à

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