Samsung Electronics vient d’introduire une mémoire flash NAND d’une capacité record de 8 Gbits. Cette mémoire est en fait constituée de quatre puces de 2 Gbits encapsulées dans un boîtier TSOP de type 1. La production de volume devrait démarrer ce trimestre les puces de 2 Gbits étant fabriquées en technologie Cmos 90 nm sur tranches de 300 mm de
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