NIS6111 d’On Semiconductor
Ce composant intègre l’ensemble des discrets nécessaires à la réalisation d’une fonction équivalent à une diode avec la technique du redressement syncrhone à transistors Mos.
Seulement deux connexions
Tenue en tension : 24 V
Chute de tension : 0,1 V pour un courant de 20 A
Dimensions : 9 x 9 mm
Rens. : www.onsemi.com
L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
UN CONNECTEUR SUR MESURE CONSTITUÉ DE BLOCS ÉLEMENTAIRES (PUISSANCE, SIGNAUX OU DONNÉES) ASSEMBLÉS SUR UN RAIL : C'EST CE QUE…
