Destinés aux applications de gestion d’énergie des systèmes portables, ces transistors Mos de Vishay Siliconix sont spécifiés pour des valeurs de tension de commande démarrant à 1,2 V. Les SiA414DJ, Si8424DB et SiB414DK sont des modèles à canal n et les SiA417DJ, Si8429DB et SiB417DK des canal p. Ils présentent une résistance à l’état passant de

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