La lithographie en immersion va permettre de réaliser des semiconducteurs ayant des structures de 32 nm (largeur et espacement) avec des équ…
La lithographie en immersion va permettre de réaliser des semiconducteurs ayant des structures de 32 nm (largeur et espacement) avec des équipements de projection fonctionnant à une longueur d’onde de 193 nm. C’est
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