Couverture ElectroniqueS n°127

Comme cela était prévisible, la société franco-italienne a signé à la fin du mois de juillet un accord de coopération avec le géant américain, accord qui la consacre également comme partenaire de production au même titre que Chartered et Samsung. C'est fait ! Suite aux défections successives de NXP Semiconductors et Freescale Semiconductor dans l'alliance Crolles 2 (voir par exemple EI n° 640 et n° 651), STMicroelectronics a finalement rejoint, comme Freescale, la sphère IBM pour le développement des technologies Cmos du futur (32 nm et 22 nm dans un premier temps). Mais l'engagement de la société franco-italienne va plus loin que celui de son ex-partenaire américain. ST ne se contente pas de devenir un partenaire de R&D au même titre que Infineon et Freescale. Il devient également membre de l'alliance de production regroupant IBM, Chartered et Samsung. Cette alliance appelée Plate-forme commune permet, en principe, à n'importe quel client de l'un des partenaires d'obtenir un circuit identique à partir d'une même bande GDSII. Il permet donc à ST d'envisager sereinement l'avenir sans être obligé de passer par la construction d'une nouvelle usine sur tranches de 300 mm, puisqu'il pourra faire fabriquer ses circuits en fonderie aussi bien par BM que par Chartered Semiconductor.Cela ne remet pas en cause les accords qui existent actuellement avec TSMC mais limite de fait la possibilité de recours à ce dernier aux technologies Cmos 45 nm et plus.Production de volume à Crolles et sur les autres sites de l'allianceL'accord avec IBM redonne également un peu d'air au site de Crolles, très affecté par la décision de Freescale d'y abandonner toute production à la fin de cette année. Le site français sera en effet responsable du développement des technologies dérivées (mémoires embarquées, analogique, RF par exemple). IBM constituera une équipe de R&D qui se joindra à celle de ST déjà en place à Crolles. Le développement des technologies Cmos de base s'effectuera, quant à lui, dans le centre de R&D micro-électronique d'IBM à East Fishkill dans lequel ST mettra en place sa propre équipe de R&D. L'accord prévoit également une collaboration sur les plates-formes et les blocs de propriété intellectuelle afin d'accélérer la conception de systèmes sur une puce réalisés dans ces technologies. Le communiqué des deux sociétés précise par ailleurs que IBM et ST « &oelig;uvreront ensemble à l'élargissement sur le site de production de tranches de 300 mm de ST… afin d'accueillir d'autres membres de l'alliance qui souhaitent prendre part au développement des technologies dérivées ». Les procédés technologiques développés conjointement seront progressivement fabriqués en volume sur le site de Crolles ainsi que dans les usines 300 mm des autres fabricants de la plate-forme commune. Crolles reste le seul site 300 mm de ST. L'usine de Catane passe en effet dans le giron de Numonyx, nom finalement adopté par Intel et ST pour la société indépendante regroupant leurs activités dans le domaine des mémoires flash (voir EI n° 649). A plus long terme, une collaboration est envisagée avec le CEA-Léti sur des sujets avancés concernant les prochains n&oelig;uds technologiques.ST, qui a publié, pour le deuxième trimestre 2007, un chiffre d'affaires en baisse de 3,1 % sur un an, à 2 418 millions de dollars (+6,2 % séquentiellement), a par ailleurs annoncé de nouvelles mesures de restructuration avec la fermeture envisagée de deux unités de production aux Etats-Unis (l'une sur tranches de 150 mm à Carrollton, l'autre de 200 mm à Phoenix) et d'un site d'assemblage et test au Maroc. De ce fait, la société a enregistré une perte nette de 758 millions de dollars au deuxième trimestre (bénéfice net de 148 millions de dollars hors charges exceptionnelles).Et pendant ce temps-là… Pullnano continueBien qu'ayant signé avec IBM pour les technologies Cmos 32 nm et moins, STMicroelectronics est également partie prenante d'un programme de R&D européen sur le même sujet, Pullnano, dont l'objectif est de développer les connaissances avancées permettant aux fabricants européens de circuits intégrés de maintenir une forte présence sur le marché mondial après 2010 (voir EI n° 629).Ce programme, qui regroupe 38 partenaires dont Infineon, NXP et Freescale (via sa participation à l'alliance Crolles 2), a présenté les premiers résultats de ses travaux lors d'une conférence internationale en juillet dernier aux Etats-Unis.Un démonstrateur mémoire Sram Cmos fonctionnel a ainsi été réalisé avec des règles de dessin de 32 nm en avance sur le calendrier fixé. Cette mémoire met en &oelig;uvre des cellules très compactes construites à l'aide de transistors innovants en silicium sur isolant totalement appauvri à grille métallique et diélectrique fort k.

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