Toshiba augmente la puissance de ses Mos

Le 04/09/2008 à 12:21 par Youssef Belgnaoui

Le fabricant japonais de semiconducteurs Toshiba, vient de présenter une famille de transistors Mos 600V reposant sur une structure à superjo…

Le fabricant japonais de semiconducteurs Toshiba, vient de présenter une famille de transistors Mos 600V reposant sur une structure à superjonction pour augmenter la puissance gérée. Cette structure réduit le produit résistance à l’état

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