FDJ129P Fairchild Semiconductor
Ce transistor Mos de puissance canal p est encapsulé dans un boîtier miniature sans broche au format SC75.
Tenue en courant : 4,2 A en continu, 16 A Crête
Résistance à l’état passant : 70 mO avec une tension de commande de 4,5 V
Charge de grille : 6 nC sous 12 V
Epaisseur : 0,8 mm
Rens. :www.fairchildsemi.com
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