ZXMN2F34MA de Zetex
Destiné aux cartes de haute densité, ce transistor Mos canal n est encapsulé dans un boîtier DFN sans broches de 2 mm de coté et occupant moitié moins d’espace qu’un classique SOT23.
Tenue en tension : 20 V
Résistance à l’état passant : 60 m pour une tension de commande de 4,5 V et 120 m pour une
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
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