FDB2614, FDB2710 de Fairchild Semiconductor
Destinés aux applications de gestion d’énergie comme les écrans plasma, ces transistors de puissance ont été configurés pour optimiser le rendement de conversion d’énergie.
Tenue en tension : 200 V, 250 V
Résistance à l’état passant : 22,0 mO, 36,3 mO typique
Boîtier D2PAK
Rens. : www.fairchildsemi.com
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