Transistors de puissance RF

Le 19/04/2007 à 0:00 par La rédaction

NPTB, NPT de Nitronex

Destinés aux applications d’infrastructures télécoms, ces transistors de puissance en nitrure de gallium sont réalisés sur subtrat silicium.

Plage de fréquence : du continu à 3 GHz
Puissance de sortie : 25 W ou 50 W sous 28 V
Gain associé : 13,5 dB et 11,5 dB
Rendement associé : 65 % et 60 %

Rep. : Lteq
Rens. : www.lteq-microwave.com

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