FDS6294, FDS7288N3 de Fairchild Semiconductor

Ces transistors Mos ont été optimisés au niveau de la charge grille-drain et du rapport des charges entre grille-drain et grille-source afin de limiter les mises en conduction parasite en mode redressement synchrone.

Charge grille-drain : 3nC typique
Résistance à l’état passant : 11,3 mO maximum
Boîtiers : SO–8 ou SO–8 FLMP à résistance

…