Transistors Mos de puissance

Le 08/02/2007 à 0:00 par La rédaction

IrFB3077PbF, IRFB4110PbF d’International Rectifier

Ces transistors Mos de puissance sans plomb sont optimisés pour la fonction de redressement synchrone.

Tenue en tension : 75 V ou 100 V
Résistance à l’état passant : 3,3 mO ou 4 mO
Boîtier TO-220

Rens. : dbraun1@irf.com

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