Transistors Mos de puissance 20 V

Le 09/02/2006 à 0:00 par La rédaction

NTx4151PT1, NTZD3152PT1, NTx4153NT1, NTZD3155CT1 d’On Semiconductor

Ces transistors Mos de puissance 20 V en boîtier miniature de 1,6 x 1,6 mm ont vu leur résistance à l’état passant baisser de 60 % par l’utilisation de grille en tranchée.

Résistance à l’état passant : 150 mO à 900 mO
Tenue en courant : 430 mA à 950 mA
Diodes zener intégrées pour protéger la grille
Canal n,

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