Transistors MOS de puissance 600 V

Le 04/03/2008 à 7:00 par La rédaction

FCD7N60, FCD5N60, FCD4N60 de Fairchild Semiconductor

Destinés aux ballasts électroniques de faible encombrement, ces transistors Mos de puissance 600 V sont caractérisés par une résistance à l’état passant de 0,6 Ohm.
Charge de grille : 23 nC typique
Tenue en courant : 7 A continu à 25 °C, 4,4 A continu à 100 °C
Résistance

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