FCD7N60, FCD5N60, FCD4N60 de Fairchild Semiconductor

Destinés aux ballasts électroniques de faible encombrement, ces transistors Mos de puissance 600 V sont caractérisés par une résistance à l’état passant de 0,6 O.

Charge de grille : 23 nC typique
Tenue en courant : 7 A continu à 25 °C, 4,4 A continu à 100 °C
Résistance thermique : 1,5 °C/W jonction à boîtier, 83 °C/W boîtier à

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