Le Japonais Nec Tokin a développé avec un chercheur de l’université de Tokyo un procédé de dépôt d’un film ferrite de 3 µm d’épaisseur directement sur les semi-conducteurs pour assurer leur blindage électromagnétique. La prouesse particulière de ce procédé réside dans sa température de mise en œuvre qui est de 80°C à 90°C contre 1 000°C habituellement

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