L’université de l’Illinois revendique un record du monde de vitesse avec un transistor HBT fonctionnant à la bagatelle de 604 GHz (fréquence de transition). Ce transistor en phosphure d’indium et d’arséniure de gallium (InP/InGaAs) a été modifié par rapport à une structure de transistor bipolaire à hétérojonction classique en effectuant un mélange progressif sur le collecteur,

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