STMicroelectronics vient de lancer la production en volume d’une mémoire flash NAND 256 Mbits en boîtier VFBGA55 de 8 x 10 mm épais de seulement 1 mm. Référencée NAND256W3A (3 V) ou R3A (1,8 V), cette mémoire est organisée en 2 048 blocs de 16 Ko eux-mêmes divisés en pages de seulement 512 octets. Elle peut être effacée ou écrite par page ou par
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
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