Prenant de vitesse Numonyx, le pionnier dans le domaine, Samsung Electronics vient de lancer la production de volume de mémoires à changement de phase (Pram) de 512 Mbits. En technologie 60 nm, les Pram 512 Mbits du Coréen sont 7 à 10 fois plus rapides que les mémoires flash NOR pour l’effacement et la réécriture et présentent un temps
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
UN CONNECTEUR SUR MESURE CONSTITUÉ DE BLOCS ÉLEMENTAIRES (PUISSANCE, SIGNAUX OU DONNÉES) ASSEMBLÉS SUR UN RAIL : C'EST CE QUE…
