Une mémoire à changement de phase optimisée pour le nanométrique

Le 31/03/2005 à 0:00 par Françoise Grosvalet

Des chercheurs de Philips affirment avoir mis au point une mémoire à changement de phase originale qui satisferait non seulement aux critères de rapidité, faible consommation, haute densité et non-volatilité, mais serait de plus caractérisée par une tension de seuil suffisamment faible pour pouvoir évoluer au même rythme que la technologie. Comme les mémoires à

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