Dans le cadre de la conférence IEDM qui s’est tenue en décembre à Washington, Freescale a révélé une structure de transistor, baptisée ITFET (Inverted T channel-Fet), combinant les avantages des structures planar (reproductibilité) et verticale (faible courant de fuite). Il en résulterait des composants plus performants et consommant moins que les Mosfet actuels. Les premiers
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
UN CONNECTEUR SUR MESURE CONSTITUÉ DE BLOCS ÉLEMENTAIRES (PUISSANCE, SIGNAUX OU DONNÉES) ASSEMBLÉS SUR UN RAIL : C'EST CE QUE…
