Avec ces composants GaN sur substrat de silicium, Fujitsu compte adresser le marché des alimentations de forte puissance destinées aux…
Les ADP2384/6 d’Analog Devices intègrent des Mosfet de puissance dont la résistance à l’état passant est très basse, contribuant ainsi…
Disponible dans un boîtier céramique TDFP16, le Mosfet 80 V/1 A de Cissoid est spécifié dans la gamme de température…
S’accommodant d’une grande variété de variateurs à triac, les LYTSwitch permettent un démarrage rapide et sans fluctuation, ni zone morte.…
Œuvre de Vishay, le Si7655DN est crédité d’une résistance à l’état passant inférieure de 17% à celle de son plus…
Proposé dans un petit boîtier de type WCSP, le WM8533 affiche un rapport signal sur bruit pondéré de 106 dB.…
Par rapport aux modèles traditionnels, les IGBT Gen8 offrent une densité de courant plus élevée, des pertes en conduction réduites…
Le haut niveau d’intégration caractérisant le SAF775x va se traduire par une réduction des coûts et par une amélioration des…
Optimisés pour les émetteurs des stations de base LTE/MC-GSM/W-CDMA, les DAC165xD sont crédités d’une consommation de 400 mW par canal…
Notamment destiné aux compteurs intelligents et aux applications industrielles, le circuit d'horloge temps réel de STMicroelectronics embarque un oscillateur à…
Ce module de 1200 V/100 A va permettre l’utilisation de fréquences de commutation jusqu’à 100 kHz, afin de diminuer la…
Les RFHA3942 et RFHA3944 sont des modèles large bande délivrant une puissance crête de 35 W et 65 W, respectivement.…
Ces modules VI Chip PRM, permettant la mise en œuvre de l’architecture de puissance factorisée de la société, délivrent jusqu’à…
