Le process U-MOSX-H de Toshiba diminue la résistance des Mosfet 150V
Toshiba a mis en œuvre son procédé U-MOSX-H afin de réduire les pertes de manière significative au sein de son…
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Les récents processeurs Xeon Sapphire Rapids d'Intel pour serveurs de données se voient désormais dotés d'une solution d'alimentation complète signée…
Texas Instruments a profité du salon Apec (applied power electronics conference) qui s'est tenu à Houston pour présenter ses derniers…
Qu'il s'agisse de systèmes scellés pour être protégés des intempéries, des applications exigeant un grand silence en fonctionnement ou plus…
Les derniers amplificateurs RF de puissance 32T32R de NXP Semiconductors profitent d'une nouvelle génération de technologie GaN (nitrure de gallium)…
Deux nouvelles variantes viennent enrichir la famille de convertisseurs DC-DC au format quart de brique BMR491 de Flex Power Modules.…
Nexperia a annoncé le lancement de sa première installation de R&D en Amérique du Nord à Dallas, au Texas. Ce…
« Les LCC1200 constituent une alternative à la fois économique et fiable aux alimentations plus encombrantes » explique Joe Voyles,…
Lacroix, All Circuits et Actia, qui forment un triumvirat majeur de la sous-traitance électronique (EMS) en place sur le marché…
Le Californien Power Integrations, spécialiste des composants de gestion d'alimentation et de puissance, vient d'inaugurer son nouveau site de Biel…
Les fabricants de composants de puissance fournissent des modèles thermiques de leurs composants pour que leurs clients puissent simuler leur…
La filiale Toshiba Electronic Devices & Storage va augmenter ses dépenses d’investissement à 839M$ (100 milliards de yens) au cours…
Rohm démarre la production en volume de transistors Hemt en nitrure de gallium (GaN) 150V dont le principal atout réside…