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Le 12/01/2016 à 9:34 par Philippe Dumoulin

IDT intègre un balun dans un amplificateur RF large bande

L'amplificateur à entrée différentielle F1423 permet d'effectuer la liaison entre un CNA et un émetteur RF. (suite…)

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Le 18/12/2015 à 9:41 par Philippe Dumoulin

IDT améliore les performances des commutateurs RF

Lors des commutations, le F2923 maintient une impédance constante sur tous les ports afin de minimiser les phénomènes transitoires. (suite…)

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Le 16/12/2015 à 10:05 par Philippe Dumoulin

Ampleon lance des transistors RF large bande en GaN

Au nombre de dix, les transistors de puissance RF de la famille CLF1 couvrent la plage 10W à 200W. (suite…)

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Le 07/12/2015 à 10:05 par Philippe Dumoulin

Perte d'insertion en baisse pour le commutateur RF en SOI

C'est ce que promet Toshiba avec son process TaRF8, optimisé pour la réalisation de commutateurs RF. Le premier bénéficiaire en…

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Le 30/10/2015 à 9:42 par Philippe Dumoulin

IDT lance des commutateurs RF à faible perte et forte isolation

Les F2914 et F2915 font appel à une technologie originale permettant de conserver une impédance quasi constante lors d'une commutation…

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Le 09/10/2015 à 8:28 par Philippe Dumoulin

Melexis lance un circuit d'émission-réception RF multicanal

Couvrant la bande 300 à 960MHz, le MLX73290-M est formé d'un frontal RF doté de deux ports d'émission-réception permettant la…

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Le 01/10/2015 à 8:52 par Philippe Dumoulin

L'amplificateur faible bruit se fait très large bande pour les infrastructures sans fil

Couvrant la bande 200 à 3800MHz, le dernier LNA de Skyworks est caractérisé par une excellente linéarité et une courbe…

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Le 17/09/2015 à 8:51 par Philippe Dumoulin

Guerrilla RF ajoute à son catalogue des préamplificateurs large bande très linéaires

Ces composants constituent des blocs de gain destinés aux chaînes d'amplification de puissance faisant appel à des composants en GaN.…

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Le 11/09/2015 à 11:24 par Philippe Dumoulin

Infineon lance ses premiers transistors de puissance RF en GaN sur SiC

Par rapport à l'existant en LDMOS, les gains en rendement et en densité de puissance obtenus vont permettre de compacter…

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Le 11/09/2015 à 10:32 par Philippe Dumoulin

Macom étoffe son offre de transistors de puissance en GaN sur Si

Référencé NPT2024, ce transistor en boîtier plastique standard est un modèle large bande (DC à 2,7GHz) capable de délivrer 200W…

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Le 07/09/2015 à 15:30 par Philippe Dumoulin

Pasternack lance une série d'amplificateurs de puissance en GaN

L'ensemble de ces amplificateurs connectorisés couvre la bande de fréquence 30MHz-7,5GHz, alors que la puissance fournie en régime saturé est…

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Le 07/09/2015 à 13:47 par Philippe Dumoulin

Les atténuateurs variables RF d'IDT offrent une linéarité améliorée

Référencés F2255 et F2258, les nouveaux venus étendent la couverture de fréquence de la gamme d'atténuateurs RF commandé en tension…

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Le 07/09/2015 à 8:59 par Philippe Dumoulin

L'amplificateur de moyenne puissance délivre un fort gain dans la bande 24-35GHz

Le HMC1131 d'Analog Devices permet de réduire le nombre de composants requis pour obtenir simultanément la puissance de sortie et…

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Magazine Electroniques

Electroniques 170

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170

Novembre 2025

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