Le SiGe:C améliore les performances de bruit des transistors HBT
Dans la bande des 5,8 GHz, le dernier transistor bipolaire à hétérojonction de Renesas Electronics affiche un facteur de bruit…
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Le dernier circuit à PLL fractionnaire de Hittite Microwave affiche un faible bruit de phase et les caractéristiques de pureté…
Crédité d'un bruit de phase très bas et d'une faible gigue, le dernier VCSO de l'américain est destiné aux réseaux…
L’offre de l’américain se compose d’un récepteur, d’un émetteur et d’un transceiver. Tous ces éléments sont basés sur l’architecture du…
Essentiellement destiné aux microphones et aux hauts-parleurs sans fil, le nRF2460 de Nordic Semiconductor délivre un flux audio mono numérique…
C’est la première fois qu’un circuit intégré est réalisé dans ce matériau. Auparavant, seuls des transistors avaient pu être fabriqués.…
Conçu pour les smartphones et les cartes de données 3G/LTE, le SKY77002 est crédité d’une plage dynamique élevée et d’une…
Destinés aux applications WLAN embarquées (IEEE 802.11b/g/n), les deux derniers PA de Microchip sont encapsulés dans des boîtiers dont les…
Réalisé en technologie GaAs, l'amplificateur faible bruit SKY67014-396F couvre la bande 1,5 à 3 GHz. Il est crédité d'excellentes performances…
Programmables par l’intermédiaire d’une interface série de type SPI ou I²C, les PE64904 et PE64905 simplifient la mise en œuvre…
L'américain complète son offre en amplificateurs de puissance pour infrastructures sans fil avec un modèle délivrant +27 dBm à 1,9…
La société a dévoilé à IMS2011 plusieurs amplificateurs de puissance exploitant une technologie GaN sur substrat SiC, pour des performances…
Ces antennes compactes utilisant la bande ISM à 2,4 GHz exploitent une technologie novatrice leur conférant performances améliorées et facilité…
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