Pas moins de 37 diodes et thyristors, en boîtiers DPAK, D²PAK et TO-247AD, complètent la gamme de composants haute tension…
Le japonais proposera ce moteur sous forme d'IP mais aussi au sein de ses propres circuits intégrés, pour le traitement…
Logé dans un petit boîtier SO6 à 4 broches, le TLP176AM de Toshiba est caractérisé par une tension d'isolement de…
Le TLP5832 de Toshiba est encapsulé dans un boîtier SO8L dont l’épaisseur est environ de 54% inférieure à celle des…
Le fabricant américain présente un circuit d'interface PHY Ethernet 100 Mbit/s SGMII optimisé pour les applications automobiles à espace restreint.…
L'américain retarde le basculement de sa production vers la technologie FinFET 10 nm - tout en affichant de solides résultats…
Le fabricant sud-coréen initie la production en volume de mémoires LPDDR4X de 16 Gbit en technologie 10 nm fonctionnant entre…
L'américain lance la production en volume de commutateurs PCIe Gen3 adaptés aux environnements difficiles des applications industrielles, militaires et médicales.…
Les outils de développement, simulation et vérification de MathWorks s'intègrent désormais dans le flux de conception pour FPGA SmartFusion2 et…
Oeuvre de Ricoh, le R1700 intègre un dispositif de correction du facteur de puissance et offre de nombreuses fonctions de…
L'américain réhausse d'environ 15 % les performances de ses processeurs Ryzen par rapport à la première génération. AMD relève les…
L'anglais lance un programme de sélection et de test de composants visant les constellations de satellites en orbite basse. L'anglais…
La seconde génération de mémoires flash Nand à 64 couches de l'américain gagne en compacité et en rapidité. Micron Technology…
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