Caractérisés par un très faible facteur de bruit, les derniers amplificateurs de Skyworks Solutions sont notamment destinés aux stations de…
Réalisé selon le procédé GaN sur substrat de silicium de la société, le NPT1015 fait montre d'une grande robustesse dans…
Le premier membre de la famille est le VZ20Q. Architecturé autour du circuit bande de base SQN3120 de la société,…
Exploitant un procédé silicium sur substrat saphir, le dernier commutateur SPDT de Peregrine est caractérisé par une isolation de 64…
Conçu pour les récepteurs GPS/Glonass/Beidou/Galileo, le BGA825L6S en SiGe est crédité d'un facteur de bruit de 0,6 dB seulement. (suite…)
Avec un PA utilisant une technique de suivi de l'enveloppe du signal RF, Nujira est parvenu à obtenir un ACLR…
Le dernier transistor de HEMT GaN sur SiC de M/A-COM cible les applications radar en bande L (suite…)
Le transistor en GaN sur diamant de TriQuint Semiconductor annonce la prochaine génération d'amplificateurs RF à très forte densité de…
Le transistor en GaN sur diamant de TriQuint Semiconductor annonce la prochaine génération d'amplificateurs RF à très forte densité de…
Œuvre de IDT, l'atténuateur IDTP1953 est programmable sur 6 bits. Compatible au niveau du brochage avec les circuits RF courants,…
Les Si468x de Silicon Labs intègrent toutes les briques fonctionnelles, de l'entrée antenne jusqu'à la sortie audio, d'un récepteur de…
Supportant les standards IEEE 802.11a/b/g/n, ce module de 16,8 x 11,6 x 2,57 mm s'adresse au marché grand public. (suite…)
Affichant une dérive 100 fois inférieure à celle des OCXO, cet oscillateur à 10 MHz est destiné aux stations de…
