Lecture offerte
Le module de géolocalisation se contente de peu
Œuvre de Quectel, le module L26 consomme 21 mA et 29 mA, dans les modes poursuite et acquisition, respectivement. MSC…
Rf/Hyper
Lecture offerte
Des diodes pour la protection des antennes contre les décharges électrostatiques
Les dernières diodes TVS d'Infineon sont créditées d'une faible capacité et d'un courant de fuite de 0,1 nA seulement. Pour…
Lecture offerte
NXP lance une nouvelle génération de transistors LDMOS
Les transistors de puissance RF Gen8+ de la société ciblent essentiellement le marché des stations de base TD-LTE. NXP Semiconductors…
Lecture offerte
Freescale améliore les performances des amplificateurs Doherty
L'américain lance un circuit monolithique chargé d'aligner la phase et l'amplitude des deux voies d'un amplificateur de puissance en configuration…
Lecture offerte
Rf/Hyper
Des antennes dédiées aux applications EnOcean
Membre actif de l'alliance EnOcean, Giga-Concept a dévoilé une gamme d'antennes couvrant les bandes de fréquences utilisées par la technologie…
Lecture offerte
L'amplificateur faible bruit... n'a jamais fait aussi peu de bruit
Caractérisés par un très faible facteur de bruit, les derniers amplificateurs de Skyworks Solutions sont notamment destinés aux stations de…
Lecture offerte
Nitronex qualifie un transistor RF de 50 W en GaN sur silicium
Réalisé selon le procédé GaN sur substrat de silicium de la société, le NPT1015 fait montre d'une grande robustesse dans…
Lecture offerte
Sequans lance la famille EZLinkLTE de modules plug-and-play
Le premier membre de la famille est le VZ20Q. Architecturé autour du circuit bande de base SQN3120 de la société,…
Lecture offerte
Pour les infrastructures sans fil, le commutateur RF offre une isolation record
Exploitant un procédé silicium sur substrat saphir, le dernier commutateur SPDT de Peregrine est caractérisé par une isolation de 64…
Lecture offerte
Infineon améliore les performances de ses LNA pour récepteurs GPS
Conçu pour les récepteurs GPS/Glonass/Beidou/Galileo, le BGA825L6S en SiGe est crédité d'un facteur de bruit de 0,6 dB seulement. L'amplificateur…
Lecture offerte
Rf/Hyper
Une linéarité record pour les amplificateurs de puissance RF destinés aux smartphones
Avec un PA utilisant une technique de suivi de l'enveloppe du signal RF, Nujira est parvenu à obtenir un ACLR…
Lecture offerte
Le transistor de puissance en GaN fournit 500 W en mode pulsé
Le dernier transistor de HEMT GaN sur SiC de M/A-COM cible les applications radar en bande L M/A-COM Technology Solutions…
Lecture offerte
Le nitrure de gallium s'acoquine avec le diamant
Le transistor en GaN sur diamant de TriQuint Semiconductor annonce la prochaine génération d'amplificateurs RF à très forte densité de…